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技术干货:芯片Latch up(闩锁)测试

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药徒
发表于 2025-5-19 11:43:41 | 显示全部楼层 |阅读模式

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闩锁效应是指在CMOS集成电路中寄生的PNP和NPN双极型晶体管相互影响而产生的一种低阻抗通路,从而产生大电流。由于正反馈作用,该状态会被持续维持(即“闩锁”),从而导致集成电路失效,严重时可能造成器件烧毁。

Latch up标准及测试方法:
常见测试标准:JESD78与AEC-Q100-004
测试方法:
闩锁测试实际是通过电流脉冲激励于非电源(输入、输出、输入/输出等)管脚或者施加过电压脉冲于电源管脚来评估芯片抗闩锁效应的能力,即过电压测试V-test及过流测试I-test。
电源过电压测试V-test
  • 所有输出管脚置于悬空状态,输入、输入/输出管脚置于逻辑高电平,预置管脚置于固定状态。量测每个电源管脚电流。
  • 待测电源管脚施加电压触发。
  • 去除触发源对比前后电流变化。
  • 重复2-3测试每一个电源管脚并判断测试结果。


I/O测试I-TEST或E-TEST
  • 所有非待测输出管脚置于悬空状态,输入、输入/输出管脚置于逻辑高电平。预置管脚置于规定的固定状态。
  • 对待测管脚置于逻辑高状态。测量每个电源管脚电流,然后对待测管脚施加正向及负向触发电流或电压。
  • 去除触发源后,将被测管脚恢复到施加触发源之前的状态,测量每个电源管脚电流。
  • 重复2-3测试每一个待测管脚,并判断测试结果。


判断标准
  • 触发前电流绝对值小于25mA,触发后电流应小于触发前电流加10mA。
  • 触发前电流绝对值大于25mA,触发后电流应小于触发前电流的1.4倍。
  • 另外测试后漏电流过大、IV曲线严重偏移、功能失效等情况,均可判为失效。


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示意图

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等效电路

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药师
发表于 2025-5-19 11:51:30 | 显示全部楼层
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